08.12.2021

ASML предрекла появление процессоров с 300 миллиардами транзисторов уже к 2030 году

ASML, которая занимается проектированием и созданием машин для производства чипов, поделилась своими прогнозами касательно будущего полупроводниковой промышленности. В документе для инвесторов голландская компания предрекла создание процессоров, которые будут содержать более 300 миллиардов транзисторов к 2030 году. Компания заявляет, что закон Мура, согласно которому количество транзисторов на единицу площади удваивается каждые 18-24 месяца, жив.

ASML предрекла появление процессоров с 300 миллиардами транзисторов уже к 2030 году

Компания планирует создать оборудование для производства микросхем, содержащих 300 миллиардов транзисторов, к 2030 году. Конечно, это непростая задача, ведь даже огромный актуальный графический процессор GA100 от NVIDIA содержит «всего» 54 миллиарда транзисторов при площади 826 мм2. Однако ASML не сомневается в реальности создания чипов с 300 миллиардами транзисторов. Компания планирует достичь этого, разделив процесс разработки чипов на две фазы: повышение плотности транзисторов и улучшение компоновки чипов. 

Для техпроцессов ниже 5-нм, таких как 3- и 2-нм, компания хочет использовать полевые транзисторы на основе нанолистов в комбинации с литографией в EUV-диапазоне, чтобы обеспечить качественное масштабирование. После этого путь к 1,5-нм техпроцессу будет сложным и потребует раздвоенных нанолистов. При создании 1-нм чипов CFET станет предпочтительной технологией для изготовления транзисторов. Для техпроцессов тоньше 1-нм ASML будет использовать двумерные атомные каналы.

ASML предрекла появление процессоров с 300 миллиардами транзисторов уже к 2030 году

Поскольку к 2030 году использование более 50 миллиардов транзисторов станет стандартом для микросхем, ASML хочет развернуть передовые методы упаковки, чтобы объединить микросхемы и создать многочиповые модули, в результате чего будет получен процессор с более чем 300 миллиардами транзисторов. 

Что касается памяти, перспективные методы изготовления позволят производителям к 2030 году создать модули NAND с более чем 500 слоями. Отметим, что текущие модули NAND имеют не более 176 слоёв.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *